SAMSUNG MZ-V9P1T0GW SAMSUNG SSD 990 PRO 1TB M.2 PCIE 4.0 W/HEATSINK

SAMSUNG SSD 990 PRO 1TB M.2 PCIE 4.0 W/HEATSINK
Modello: SAMSUNG SSD 990 PRO 1TB M.2 PCIE 4.0 W/HEATSINK
Codice: MZ-V9P1T0GW
SAMSUNG SSD 990 PRO 1TB M.2 PCIE 4.0 W/HEATSINK
Samsung 990 PRO NVMe 1TB con Dissipatore di calore, SSD interno. Capacità SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7450 MB/s, Velocità di scrittura: 6900 MB/s, Componente per: PC
DESCRIZIONE
SAMSUNG SSD 990 PRO 1TB M.2 PCIE 4.0 W/HEATSINK
Samsung 990 PRO NVMe 1TB con Dissipatore di calore, SSD interno. Capacità SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7450 MB/s, Velocità di scrittura: 6900 MB/s, Componente per: PC
CARATTERISTICHE
Dimensioni e peso
Altezza (mm):
24.3
Larghezza (mm):
80
Peso (g):
28
Profondità (mm):
8.2
Caratteristiche
Capacità SSD (GB):
1000
criptaggio hardware:
true
Dimensione SSD:
M.2
Dimensioni dell'unità SSD M.2:
2280 (22 x 80 mm)
Lettura casuale (4KB) (IOPS (Operazioni di input/output per secondo)):
1200000
NVMe:
true
Scrittura casuale (4KB) (IOPS (Operazioni di input/output per secondo)):
1550000
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo):
true
Supporto TRIM:
true
Tipo memoria:
V-NAND MLC
Velocità di lettura (MB/s):
7450
Velocità di scrittura (MB/s):
6900
Versione di NVMe:
2.0
Processore
Componente per:
PC
Gestione energetica
Consumo energetico (max) (W):
7.8
Consumo energetico (medio) (W):
5.4
Tensione di esercizio (V):
3.3
Connettività
Interfaccia:
PCI Express 4.0
Condizioni ambientali
Intervallo temperatura di funzionamento:
0 - 70 °C
Shock di funzionamento (G):
1500
Prestazione
Supporto S.M.A.R.T.:
true
Tempo medio tra guasti (MTBF) (h):
1500000